Утро туманное, утро седое

Грампи, как никто, понимает меня - каково это в пятницу вставать к первой паре.

Чудо креатива

Интересно, а сам Роберт де Ниро в курсе. Или на этом диске он поет старинные песни эпохи сухого закона и/или песенки неаполитанской каморры?

С полупроводниками теперь можно будет работать и в растворе

Значительным улучшением технологии полупроводниковых устройств, позволяющим отказаться от вакуумной техники нанесения полупроводников, могли бы быть, например методы, в которых бы использовалось распыление раствора нужного полупроводника. Тем не менее, практически все известные растворители не могут использоваться для получения раствора полупроводника с концентрацией, достаточной для его распыления.

Новая работа позволяет надеяться на решение этой проблемы – исследователи из группы Дэвида Веббера (David H. Webber) из Университета Южной Калифорнии сообщают, что они создали алкагест, универсальный растворитель для полупроводников, позволяющий получать достаточно концентрированные растворы целого класса халькогенидных полупроводниковых растворителей с помощью относительно неопасной смеси двух коммерчески доступных растворителей.

При комнатной температуре смесь тиола и амина позволяет получить концентрированный раствор по крайней мере девяти полупроводников, эта разработка может значительно удешевить технологию получения тонких пленок полупроводников. (Рисунок из J. Am. Chem. Soc. 2013, DOI: 10.1021/ja4084336)

Было обнаружено, что при комнатной температуре и нормальном атмосферном давлении смесь 1,2-этилендиамина и 1,2-этандиола может быстро растворять образцы девяти халькогенидов металлов – бинарных полупроводников с общей формулой M₂E₃, где М – мышьяк, сурьма или висмут, а Е – сера, селен или теллур.

Исследователи из группы Веббера обнаружили, что смешанный растворитель может использоваться для получения концентрированных (21–32% по массе) растворов таких халькогенидов пниктогенов, как As₂S₃, As₂Se₃, As₂Te₃, Sb₂S₃, Sb₂Se₃ и Sb₂Te₃. Эта же смесь растворителей позволяет получить растворы халькогенидов висмута с концентрациями 1–10%.

Исходная статья про "алкагест для полупроводников"